1. У фізиці напівпровідників — тип електричного заряду, що виникає на поверхні або в об’ємі напівпровідникового приладу внаслідок наявності домішок, дефектів кристалічної ґратки або інших неоднорідностей, що призводить до формування області з електричним зарядом, протилежним за знаком до основного заряду носіїв струму.
2. У радіоелектроніці та вакуумній техніці — небажаний заряд, що накопичується на ізольованих елементах електронних приладів (наприклад, на сітці електронної лампи) через осідання заряджених частинок (електронів або іонів), що порушує нормальну роботу приладу.