напівпровідник

Приклад 1:
Звідси видно, що концентрація носі- їв струму у власному напівпровідник у виз- начається шириною забороненої зони E∆ і температурою напівпровідника T. Внаслідок наявності у власному н а- півпровіднику двох типів носіїв – електро- нів і дірок – його питома електропрові д- ність складається з провідності eee eun=σ , яка обумовлена наявністю вільних елек – тронів, що мають рухливість eu , і прові д- ності ppp eun=σ , що обумовлена наявніс- тю дірок, які мають рухливість pu . Повна питома провідність власного напівпрові д- ника =+= pe σσσ ( ) kT E 2 2 3 2 ** e uue h kTmm2 2 pe pe ∆−+⋅         = π .
— Невідомий автор, “168 І.Є.Лопатинський. Фізика. Підручник. 2005”

Приклад 2:
При дальшому підвищенні темпер а- тури починається все інтенсивніше збуд – ження вл асних носіїв, напівпровідник все більше наближається до стану власного напівпровідника, внаслідок чого рівень Фермі наближається до положення рівня Фермі у власному напівпровіднику. Температура iT відповідає переходу до власної провідності напівпровідника.
— Невідомий автор, “168 І.Є.Лопатинський. Фізика. Підручник. 2005”

Приклад 3:
Електронно-дірковий перехід може бути отриманий також дифузією акцептор- ної д омішки у донорний напівпровідник або донорної домішки в акцепторний нап і- впровідник. Глибина проникнення до – мішки і залягання p-n – переходу визнача- ється температурою і ч асом проведення дифузії.
— Невідомий автор, “168 І.Є.Лопатинський. Фізика. Підручник. 2005”

Приклад 4:
ГОЛЬДМАН ОЛЕКСАНДР ГЕНРІХОВИЧ (1884-1971) Перший в Україні розпочав дослідження з фізики напівпровідників, зокрема вивчав явища випрямлення в напівпровідниках, явища на к о- нтакті „метал-напівпровідник”, закономірності вентильного ефекту. ЛАШКАРЬОВ ВАДИМ ЄВГЕНОВИЧ (1903-1974) Запропонував у 1941 р. метод термозонда для вивчення поширення питомого опору в глибину запірного шару і вперше виявив р -n- перехід в закисі міді.
— Невідомий автор, “168 І.Є.Лопатинський. Фізика. Підручник. 2005”