Гетероструктура — напівпровідниковий матеріал, створений шляхом поєднання двох або більше різних напівпровідників з відмінною шириною забороненої зони, що утворюють різкі границі між шарами на атомарному рівні; використовується в електроніці та оптоелектроніці для керування рухом носіїв заряду та властивостями світловиділення.
Гетероструктура — будь-яка багатошарова структура в матеріалознавстві, складна з різних за складом або фазовим станом матеріалів, які мають чіткі межі поділу між шарами.