1. (фізика) Різкий перехід між двома різними напівпровідниковими матеріалами в одній кристалічній структурі, що призводить до стрибка ширини забороненої зони та формує потенційний бар’єр, який використовується для керування рухом носіїв заряду в напівпровідникових приладах (наприклад, у транзисторах, світлодіодах, лазерах).
2. (фізика) Квантовий перехід електрона між двома рівнями енергії, що належать різним електронним зонам (наприклад, між валентною зоною та зоною провідності) у твердому тілі.